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半導體級高真空球閥 |
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半導體級高真空球閥 半導體級高真空活套法蘭球閥 半導體級高真空快接球閥 真空球閥 之前介紹JIS日標不銹鋼截止閥標準,現在介紹半導體級高真空球閥半導體行業對清潔度的要求基于實際應用, 介紹了半導體設備真空結構和真空室常用部件, 講述了He 質譜檢漏儀的使用方法。總結了真空檢漏的經驗, 闡述了微漏難檢的現狀。分析了磁控濺射臺和ICP 真空故障, 采用靜壓檢漏法和He 質譜檢漏儀檢漏法, 給出了零部件微漏導致這些設備抽不上高真空的結論。指出今后的發展方向是真空部件小型化, 以及根據設備特點來提高真空部件的可靠性。結果表明, 先排除干擾因素, 再細心檢漏, 可大大提高檢漏效率, 使設備盡快恢復正常。 半導體級高真空球閥引言
這類設備有PECVD, RIE, ICP 等。常涉及到特殊氣體和特殊反應物, 其真空室比較小, 常使用分子泵抽高真空。現以某ICP 為例進行說明, 真空結構如圖2, 圖2 真空室約30 L。出現故障后, 做3 min靜壓檢漏, 真空室壓強上升率超過允許值1.3 × 10- 1 Pa/ min, 達到10 Pa/min。用He 檢漏儀進行檢漏, 發現真空室頂針下方的疊片可伸縮波紋管漏, 拆下該波紋管, 維修后裝回, 檢漏發現該處已恢復正常。但是啟動設備進行靜壓檢漏時發現真空室壓強上升率為1 Pa/ min, 仍然大于允許值。繼續檢漏, 停了分子泵, 沒有停干泵, 發現門封漏率達1.4 × 10- 8 Pa.m3/ s。停了干泵, 真空室壓強由6.5 Pa很快上升到30 Pa, 顯然有氣體通過真空管道漏到真空室。打開粗抽閥與干泵相連的端口進行檢漏, 漏率為2 × 10- 8 Pa.m3/ s, 因此維修了該閥, 但是再檢漏沒有通過, 只能更換該閥門。將與分子泵相連的清洗閥拆下, 噴He 檢門閥1, 發現門閥1 漏率為5 × 10- 8 Pa.m3/ s。將清洗閥裝回, 拆下門閥修理后裝回, 門閥恢復正常。然后, 在維修模式下用干泵抽真空室和分子泵腔室, 在保證門閥兩側壓差<1 × 103 Pa的情況下打開門閥1, 使真空室和分子泵腔室連通, 檢測分子泵上的管道和閥門, 沒有發現新的問題。 半導體設備真空與檢漏 - ICP真空結構高真空(壓力)球閥是應用在真空系統中(又能適用一定的壓力下)開啟或切斷氣流的高真空球閥。本閥門結構緊湊,美觀,密封座補償設計。有自動補償密封座磨損功能,啟閉力矩小,壽命長等優點。適用的工作介質為帶酸、堿性的各類氣體或液體。
真空球閥性能特點: 圖2 ICP 真空結構 上海申弘閥門有限公司主營閥門有:截止閥,電動截止閥zui后維修門封處的漏點。換門封密封圈, 漏率未見好轉。仔細檢查門封處的結構, 發現上蓋有一個螺釘向下突出, 導致門封密封不好。但是將螺釘拆下比較困難, 因為這需松開上蓋。上蓋連有水冷管道, 限制了上蓋移動范圍; 上蓋右側通過轉軸與真空室上平面相連, 同時上蓋與真空室下方用彈力大的彈力桿頂著, 導致拆卸安裝困難, 詳情見圖3。后來發現打開上蓋, 彈力桿的彈力變得很小,這時方便拆裝彈力桿; 松開兩塊檔板后露出兩個螺釘, 松開它們就可以松開轉軸。就這樣松開了上蓋, 將下墜的螺釘向上擰緊, 再將上蓋裝好, 門封恢復正常。啟動設備確認故障已修好。
半導體設備真空與檢漏 - ICP真空結構 圖3 ICP 真空室 6、結語 |